书《巨峰科技-半导体工艺》

文章金属辅助化学蚀刻

No. JFKJ-21-354

作者巨峰科技

摘要

？提供 III-V 族半导体的金属辅助化学蚀刻方法。该方法可以包括提供设置在包括III-V族半导体的半导体衬底上的导电膜图案。通过将导电膜图案和半导体基板浸入含有酸和氧化电位小于氧化电位的氧化剂的蚀刻溶液中，可以选择性地去除导电膜图案正下方的至少一部分III-V族半导体。 .

技术领域

现在公开它通常涉及蚀刻半导体材料，更具体地涉及金属辅助化学蚀刻以形成纳米结构。

背景

由半导体材料形成的纳米结构正变得越来越普遍。许多不同的制造方法可用于生产纳米结构，但它们通常无法以负担得起且及时的方式完全控制纳米结构的图案和质量。最流行的方法之一是图案化基板的反应离子蚀刻。然而，这会对晶体结构和表面形态造成严重损害。由于许多半导体应用对材料中的缺陷非常敏感，因此尽可能减少缺陷非常重要。

简要总结

提供了一种形成高纵横比半导体纳米结构如III-V族纳米结构的方法。纳米结构可用于许多应用，包括太阳能电池、发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD)，例如分布式反馈 (DFB) 激光器和分布式布拉格反射器 (DBR) 激光器、探测器、场效应晶体管 (FET)、热电设备、传感器，例如沿生物界面和纳米级处理单元。

详细说明

？本文介绍了一种蚀刻半导体（如 III-V 族半导体）以形成具有纳米尺寸的半导体结构的方法。由于能够产生直接带隙、三元和异质结构材料，III-V 族纳米结构的蚀刻阵列可以提供优于硅的多种优势。在以下描述的一些示例中，通过参考蚀刻方法作为金属辅助形成具有约10至约1000nm或约500至约1000nm范围内的横向尺寸(例如宽度或直径)的周期性高纵横比GaAs纳米柱。化学蚀刻 (MacEtch)。当用金等金属图案覆盖并暴露在含有合适氧化剂的酸性环境中时，金属图案正下方的 GaAs 将被蚀刻。

纳米线形成示例

？尽管硅已经能够通过金属辅助化学蚀刻成功形成纳米线，但尚未证明它是一种 III-V 族材料。使用上述穿孔图案和上述蚀刻溶液可以根据蚀刻参数不同程度地成功蚀刻GaAs中的纳米线。

文章来源：《化学教与学》 网址: http://www.hxjyxzz.cn/zonghexinwen/2021/0902/1006.html